RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
24
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
2852
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link