RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
19
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2222
3220
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link