RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1994
3379
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link