RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2925
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link