RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1896
2925
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Mushkin 991659 (996659) 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link