RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
30
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1927
3075
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link