RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
70
Autour de -119% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
4.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.5
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
4.6
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1264
3726
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link