RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2238
2382
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link