RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparez
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Note globale
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
1,769.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,482.7
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,769.9
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
4240
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparaison des RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link