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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Comparez
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Note globale
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2128
2817
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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