RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
75
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
3448
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link