RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
41
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2039
3521
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link