RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3579
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link