RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2090
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link