RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2987
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link