RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2432
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link