RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3066
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link