RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3437
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link