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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
3230
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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