RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de 45% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
49
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2589
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link