RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2409
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link