RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparez
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Note globale
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1756
2330
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link