RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
71
Autour de 44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
71
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2148
1863
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link