RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2511
3004
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link