RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Comparez
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Note globale
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
35
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
21
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2726
3356
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link