RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
32
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
3171
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link