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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,410.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
61
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,230.0
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,410.6
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
754
2394
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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