RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de -200% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
25
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2991
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link