RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
75
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2880
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X2048-6400C4DHX 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link