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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
75
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
38
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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