RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
50
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3023
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link