RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
50
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
39
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2159
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link