RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Comparez
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Note globale
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1432
2971
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link