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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparez
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
39
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2468
2089
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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