RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link