RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3397
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link