RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
56
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
56
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2795
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link