RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2942
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link