RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3337
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link