RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3704
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link