RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link