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Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
2757
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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