RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3416
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link