RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
37
Autour de -164% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
26.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
14
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
26.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
4362
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link