RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3245
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link