RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3029
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link