RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2569
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link