RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
8.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
1842
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link