RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
92
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
49
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2673
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link