RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
92
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3458
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link